《Chemistry of Materials》：通過光子燒結(jié)制備用于光電器件的晶體硒化銻薄膜（IF=8.695）

背景：熱退火是用于結(jié)晶硒化銻(Sb2Se3)薄膜的最常見后沉積技術(shù)。然而，由于處理速度慢且能源成本高，它與未來光伏電池中Sb2Se3的升級和商業(yè)化不相容。在此，首次采用一種使用毫秒···

2024

《Scientific Reports》：用于底柵薄膜晶體管的帶有印刷銀源極和漏極電極的溶液基銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體的光子燒結(jié)（IF=4.652）

背景：本研究開發(fā)了一種用于高性能全印刷無機薄膜晶體管(TFT)的印刷多層銦鎵鋅氧化物(IGZO)和銀(Ag)電極結(jié)構(gòu)的強脈沖光(IPL)退火工藝。通過使用IGZO前體和銀墨水的溶液···

2024

背景：我們介紹了光子燒結(jié)作為一種通用且經(jīng)濟(jì)高效的界面處理方法，用于溶液處理的In-Ga-Zn-O薄膜晶體管，重點研究其提高操作穩(wěn)定性的潛力。我們制造了溶液處理的基于IGZO的薄膜晶···

2024

背景：新興的柔性光電器件需要多材料處理能力，以充分利用對溫度敏感的基板和材料。本報告展示了光子燒結(jié)如何實現(xiàn)具有非常不同特性的材料的加工。例如，電荷載流子傳輸/阻擋金屬氧化物和透明導(dǎo)···

2024

背景：In2O3是最重要的半導(dǎo)體金屬氧化物之一，主要是因為它具有寬帶隙、高電子遷移率和加工通用性。為此，可以使用可擴展且廉價的基于溶液的沉積方法來制備高質(zhì)量的In2O3薄膜，從而使···

2023

背景：金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為新興的透明和柔性微電子應(yīng)用提供了絕佳的機會。不幸的是，它們的性能受到與寄生效應(yīng)相關(guān)的限制的阻礙，例如寄生電極重疊電容和高接觸電阻，這會嚴(yán)重限制···

2024